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石墨烯芯片作为下一代半导体

石墨烯芯片作为下一代半导体

  • 分类:公司动态
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2024-07-29
  • 访问量:0

【概要描述】  研究团队的发现标志着在充分发挥石墨烯作为半导体的潜力方面迈出了重要一步。随着科学家继续探索和完善这项技术,我们可以期待电子产品比以往更快、更小、更强大的未来。

石墨烯芯片作为下一代半导体

【概要描述】  研究团队的发现标志着在充分发挥石墨烯作为半导体的潜力方面迈出了重要一步。随着科学家继续探索和完善这项技术,我们可以期待电子产品比以往更快、更小、更强大的未来。

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  开拓未来:这种新型石墨烯半导体可能带来性能优于当今硅芯片的芯片,并为开发全新电子产品打开大门。

  半导体技术长期以来一直依赖于硅,但现在正在突破摩尔定律设定的物理界限。这推动了人们对新材料的探索,这些新材料可以继续推动计算和电子领域的进步,超越传统硅基方法所能达到的范围。

  在《自然》杂志发表的一项科学突破中,研究人员在增强石墨烯性能方面取得了重大进展。石墨烯是一种革命性的材料,对未来电子产品有着巨大的潜力。

  石墨烯是一种以六边形晶格排列的单层碳原子,具有出色的导电性,但缺乏作为半导体应用所必需的固有带隙。没有带隙,石墨烯就无法有效控制电子的流动,限制了其在数字开关和精确电流控制中的应用,阻碍了节能和先进电子设备的开发。然而,科学家们现在已经发现了一种克服这一限制的方法,为碳化硅上很高迁移率半导体外延石墨烯开辟了新的可能性。

  中国天津大学的研究团队与美国佐治亚理工学院的合作者成功开发出一种制造高质量半导体石墨烯的工艺,其带隙高达 0.6 电子伏特 (eV)。这一突破使石墨烯能够充当高效半导体,超越了传统硅基电子产品的局限性。

  为了理解这一成就的意义,我们可以将石墨烯想象成电子的高速公路,让它们以惊人的速度移动。然而,如果没有带隙,它就像一条没有红绿灯或出口的高速公路。这一突破在高速公路的战略要地引入了红绿灯(带隙),从而能够精确控制电子流,为先进电子设备开辟了新途径。

  此前,通过量子限制或化学改性在石墨烯中创造带隙的尝试未能达到预期效果。然而,研究小组发现,通过在碳化硅晶体上生长石墨烯并使用专门的退火方法,他们可以生产出具有有序结构和显著带隙的石墨烯缓冲层。

  这种新型半导体外延石墨烯 (SEG) 的主要优势之一是其出色的迁移率,迁移率指的是电子在材料中移动的难易程度。在室温下,SEG 的迁移率超过 5000 平方厘米每伏特秒 (cm2/Vs)。从这个角度来看,它比其他二维半导体中声子散射的极限大 20 倍以上,大大超过了传统硅的迁移率。

  想象一下,如果你能将计算机处理器升级为一个可以让数据传输速度提高 20 倍的处理器,从而实现闪电般的快速计算和无缝多任务处理。这就是 SEG 带来的进步。它不仅优于当前的硅基技术,而且还为未来更快、更高效的电子设备开辟了可能性。

  此外,SEG 表现出卓越的稳定性和与现有制造工艺的兼容性。它可以轻松图案化并与其他石墨烯层集成,使其成为下一代纳米电子的理想候选材料。与碳化硅基板的晶格对准确保了强大的机械和热性能,进一步增强了其在实际应用中的适用性。

  虽然这项研究仍处于早期阶段,但这一突破对电信、计算和能源存储等各个领域都具有巨大的前景。速度更快、更节能的电子设备可能会改变行业并改善我们的日常生活。

  研究团队的发现标志着在充分发挥石墨烯作为半导体的潜力方面迈出了重要一步。随着科学家继续探索和完善这项技术,我们可以期待电子产品比以往更快、更小、更强大的未来。

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